买卖IC网 >> 产品目录 >> SIR826ADP-T1-GE3 MOSFET 80V 5.5mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

SIR826ADP-T1-GE3

库存数量：9000
制造商：Vishay/Siliconix
描述：MOSFET 80V 5.5mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET 80V 5.5mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET
SIR826ADP-T1-GE3 PDF下载
制造商 Vishay/Siliconix
晶体管极性 N-Channel
汲极/源极击穿电压 80 V
闸/源击穿电压 20 V
漏极连续电流 60 A
电阻汲极/源极 RDS（导通） 5.5 mOhms
配置 Single
最大工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 PowerPAK SO-8
封装 Reel
相关资料
属性
链接
代理商 SIR826ADP-T1-GE3
SIR826DP-T1-GE3
SIR836DP-T1-GE3
SIR838DP-T1-GE3
SIR840DP-T1-GE3
SIR844DP-T1-GE3
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  • SIR826ADP-T1-GE3 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1 3.684 3.684
    10 3.118 31.18
    100 2.554 255.4
    250 2.264 566
    3,000 1.752 5256
    6,000 0 0